Solong layer grapheneay kilala bilang "Hari ng Mga Materyales" dahil sa natatanging dalawang-dimensional na istraktura ng lattice ng honeycomb at mga katangian ng elektronikong banda, na nagpapakita ng mahusay na pagganap sa kondaktibiti at thermal conductivity. Ang sumusunod ay isang detalyadong pagsusuri ng conductivity at thermal conductivity:
Pag -uugali
Ultra High conductivity:
1. Ang conductivity ng single-layer graphene ay maaaring umabot ~ 10 ⁶ s/m (sa temperatura ng silid), na higit na lumampas sa tanso (~ 5.9 × 10 ⁷ s/m), ngunit dahil sa sobrang manipis na kapal (0.34 nm), ang paglaban sa sheet ay kailangang isaalang-alang sa mga praktikal na aplikasyon.
2. Ang paglaban sa ibabaw ay kasing mababa ng ~ 30 Ω/sq (nang walang doping), at maaaring mas mabawasan sa ~ 10 Ω/sq sa pamamagitan ng kemikal na doping (tulad ng nitric acid).
Mga Katangian ng Carrier:
1.Zero Bandgap Semiconductor: Ang Valence Band at Conduction Band ay nakikipag-ugnay sa Dirac Point, na bumubuo ng isang linear na pagkakalat ng relasyon (ang relasyon ng E-K ay conical, na kilala bilang "Dirac cone").
2.Ang mga carrier ng singil ay mga massless dirac fermion na may napakataas na kadaliang kumilos (~ 20000 cm ²/(v · s) sa temperatura ng silid), na higit na lumalagpas sa silikon (~ 1400 cm ²/(v · s)).
3. Ang average na libreng landas ng mga electron ay maaaring maabot ang antas ng micrometer (kung may ilang mga depekto), at ang ballistic transport ay makabuluhan sa mikroskopyo.
Mga impluwensya na kadahilanan:
1.Defects, impurities (tulad ng mga grupo ng functional na oxygen), o mga pakikipag -ugnayan sa substrate ay maaaring mabawasan ang mga rate ng paglipat.
2. Kapag ang pagtaas ng temperatura, ang pagtaas ng phonon ay nagdaragdag at ang conductivity ay bahagyang bumababa.
Thermal conductivity
Ultra mataas na thermal conductivity:
1.Ang thermal conductivity sa temperatura ng silid ay umabot ~ 4000-5000 w/(M · K) (para sa nasuspinde na mga libreng sample ng depekto), na higit sa 10 beses na ng tanso (~ 400 w/(M · K)).
2. Sa eroplano thermal conductivity ang nangingibabaw, habang wala sa eroplano thermal conductivity ay lubos na mahina (~ 10 w/(m · k)).
Mekanismo ng paglipat ng init:
1.Minat na isinasagawa ng mga phonon (mga panginginig ng lattice), lalo na ang mga mahabang ponon ng alon na nakakalat ng kaunti sa isang perpektong sala -sala.
2.Optical phonons nag-aambag ng mas kaunti sa thermal conductivity, ngunit ang mga high-frequency phonons ay nagpapakita ng pinahusay na pagkalat sa mataas na temperatura (> 300 K).
Mga impluwensya na kadahilanan:
1. Ang pakikipag -ugnay sa substrate (tulad ng SIO ₂ substrate ay maaaring mabawasan ang thermal conductivity sa ~ 600 w/(M · K)) o mga depekto (bakante, pagkakalat ng gilid) ay makabuluhang bawasan ang thermal conductivity.
2. Pag -asa sa Paggawa: Sa mababang temperatura, ang thermal conductivity ay nagdaragdag sa pagtaas ng temperatura (ang phonon phonon na pagkakalat ay mahina), na may isang rurok na lumilitaw sa ~ 100 K at pagkatapos ay bumababa.
| Pagganap |
Single-layer graphene |
tanso |
silikon |
|
Pag -uugali (s/m) |
10⁶ |
5.9 × 10⁷ |
10⁻³ - 10³ |
| Thermal conductivity (w/(m · k)) |
4000-5000 |
400 |
150 |
1. Mga Application ng Conductive: Flexible Electrodes, High-Frequency Transistors (Terahertz Device), Transparent Conductive Films (pagpapalit ng ITO).
2.THERMAL CONDUCTION APPLICATIONS: Thermal interface materials, heat dissipation coatings (tulad ng 5G chip heat dissipation).
Ang Sat Nano ay isang pinakamahusay na tagapagtustos ng solong layer graphene powder sa China, nag -aalok kami ng pulbos at solusyon, kung mayroon kang anumang pagtatanong, mangyaring huwag mag -atubiling makipag -ugnay sa amin sa sales03@satnano.com
