Ang ATO Dispersion ay gumaganap ng isang kritikal na papel sa modernong transparent na conductive na materyales, thermal insulation coatings, at antistatic application. Sa malalim na gabay na ito, ipinapaliwanag ng SAT NANO kung ano ang ATO Dispersion, kung paano ito gumagana, kung saan ito ginagamit, at kung bakit ito ay naging isang kailangang-kailangan na materyal para sa mataas na pagganap ng mga pang-industriyang formulation.
Bilang isang taong kasangkot sa agham ng mga materyales, nakita ko mismo kung paano ang mga tamang sangkap ay maaaring magbago ng pagganap. Ang isa sa mga pinaka kapana -panabik na pagsulong na isinama namin sa Sat Nano ay nagsasangkot ng tin dioxide nanoparticles.
Bilang isang mananaliksik na may higit sa dalawang dekada ng karanasan sa agham na agham, nakita ko mismo ang mga hamon na may kasamang synthesizing pare-pareho, de-kalidad na mga suspensyon ng nanoparticle ng metal. Ang pakikibaka ay totoo - ang pagsasama -sama, kung saan ang mga maliliit, makapangyarihang mga partikulo ay magkasama, ay maaaring masira ang mismong mga pag -aari na pinaghirapan natin upang makamit.
Mayroong tatlong pangunahing pamamaraan para sa paghahanda ng single-walled carbon nanotubes: paraan ng arko, pamamaraan ng laser ablation, at pamamaraan ng pag-aalis ng singaw ng kemikal (CVD).
Sa pag-unlad ng integrated circuit (IC) na teknolohiya, ang pag-scale ng silikon na batay sa metal oxide semiconductor (MOS) field-effect transistors (FET) ay papalapit sa kanilang pangunahing pisikal na mga limitasyon. Ang mga carbon nanotubes (CNT) ay itinuturing na mga promising na materyales sa panahon ng post silikon dahil sa kanilang kapal ng atomic at natatanging mga de -koryenteng katangian, na may potensyal na mapabuti ang pagganap ng transistor habang binabawasan ang pagkonsumo ng kuryente. Ang mataas na kadalisayan na nakahanay ng carbon nanotubes (A-CNT) ay isang mainam na pagpipilian para sa pagmamaneho ng mga advanced na IC dahil sa kanilang mataas na kasalukuyang density. Gayunpaman, kapag ang haba ng channel (LCH) ay bumababa sa ibaba 30nm, ang pagganap ng solong gate (SG) A-CNT FET ay makabuluhang bumababa, higit sa lahat na ipinahayag bilang lumala na mga katangian ng paglipat at nadagdagan ang kasalukuyang pagtagas. Ang artikulong ito ay naglalayong ibunyag ang mekanismo ng pagkasira ng pagganap sa A-CNT FET sa pamamagitan ng teoretikal at pang-eksperimentong pananaliksik, at magmungkahi ng mga solusyon.
Ang aming pananaliksik sa Sat Nano ay nakilala ang maraming mga kritikal na pakinabang. Una, ang mga additives ng boride nanoparticle ay lumikha ng isang mas matindi, mas cohesive barrier laban sa kahalumigmigan at pagtagos ng kemikal. Pangalawa, kapansin-pansing pinapabuti nila ang paglaban sa pag-abrasion-madalas na pinatataas ito ng 200-300% kumpara sa mga karaniwang coatings. Pangatlo, pinapanatili nila ang katatagan sa mga temperatura na lumampas sa 800 ° C, kung saan ang mga tradisyunal na coatings ay mabilis na magpapabagal.
