Mayroong tatlong pangunahing pamamaraan para sa paghahandaSingle-walled carbon nanotubes: Paraan ng ARC, Paraan ng Laser Ablation, at Paraan ng Pag -aalis ng Kemikal na Pag -aalis (CVD).
Kabilang sa mga ito, ang mga pamamaraan ng CVD at ARC ay itinuturing na mga pangunahing landas para sa industriyalisasyon. Sa pangkalahatan, dahil sa mataas na temperatura sa arc zone, ang antas ng pagkikristal ng handa na mga nanotubes ng carbon ay mataas din. Gayunpaman, ang pamamaraan ng ARC ay may mahinang pagkontrol sa microstructure ng carbon nanotubes, tulad ng diameter at chirality, at mahirap na higit na mapabuti ang ani at kalidad.
Sa kaibahan, ang pamamaraan ng CVD ay naging piniling pagpipilian para sa mga domestic enterprise dahil sa mas nakokontrol na patlang ng temperatura, malakas na pagsasaayos ng proseso, at malinaw na landas ng pagpapalakas, at nakamit ang malaking suplay. Habang nagpapatuloy ang proseso, posible pa rin para sa maraming mga pamamaraan na magkakasama at kahit na makipagtulungan upang masira sa hinaharap. Ngunit sa high-end na electronic, semiconductor at iba pang mga aplikasyon na nangangailangan ng sobrang kalidad ng mga array tubes, ang mga pakinabang ng ruta ng CVD ay mas malinaw.
Ang pamamaraan ng CVD para sa paghahanda ng mga nanotubes ng carbon ay maaaring nahahati sa tatlong mga pamamaraan batay sa supply o pagkakaroon ng mga catalysts: pamamaraan ng substrate, paraan ng pag -load, at lumulutang na pamamaraan ng katalista. Ang mga catalyst ay karaniwang gumagamit ng mga elemento ng metal na paglipat ng Fe, CO, NI o ang kanilang mga kumbinasyon, at kung minsan ang iba pang mga elemento at compound tulad ng mga bihirang lupa ay idinagdag din. Ang kagamitan ng lumulutang na pamamaraan ng pag-aalis ng singaw ng kemikal na katalista ay simple at maaaring makagawa ng semi na patuloy o patuloy, kaya malamang na makamit ang mababang gastos at malakihang paghahanda ng mataas na kalidad na single-walled carbon nanotubes.
Gayunpaman, ang lumulutang na paraan ng kama ay nahaharap pa rin sa "tatlong pangunahing mga hamon sa teknikal": kontrol sa patlang ng temperatura: Ang mataas na temperatura na pag-crack ng front-end catalyst, matatag na patlang ng temperatura na kinakailangan para sa paglaki ng mga nanotubes ng carbon sa gitna, at mabilis na paglamig upang ihinto ang reaksyon sa lugar ng pagpapakain ng buntot, na may sobrang mataas na mga kinakailangan para sa kontrol sa larangan ng temperatura; Flow Field Control: Sa panahon ng proseso ng paglago ng mga carbon nanotubes, kinakailangan para sa carbon source gas na ganap na makipag -ugnay at gumanti sa katalista, sa gayon ay nangangailangan ng panloob na kaguluhan ng daloy ng daloy upang mapagbuti ang paggamit ng mapagkukunan ng carbon; Patuloy na Koleksyon ng Materyales: Sa kasalukuyan, ang karamihan sa mga lumulutang na kagamitan sa kama ay limitado sa pamamagitan ng control field control, teknolohiya ng sealing, atbp, at walang pag-andar ng patuloy na materyal na koleksyon, na imposible na tunay na makamit ang malakihang paggawa.
Pinagtibay ni Sat Nano ang isang lumulutang na ruta ng paraan ng kama, na sinamahan ng proseso ng paglago ng mga single-walled carbon nanotubes, upang idisenyo ang temperatura at daloy ng mga patlang sa hurno sa isang target na paraan, at nagdaragdag ng isang tuluy-tuloy na istraktura ng pagpapakain, tunay na paglutas ng tatlong pangunahing mga hamon sa teknikal na kinakaharap ng industriyalisasyon.
Si Sat Nano ay isang pinakamahusay na tagapagtustos ng carbon nanotube sa China, maaari kaming magbigay ng swcnt, dwcnt, mwcnt powder, kung mayroon kang anumang pagtatanong, mangyaring makipag -ugnay sa amin sa sales03@satnano.com
