China Vanadium Nitride Particle Mga Manufacturer, Supplier, Factory

Ang Nanoscale SnO2 powder ay isang makabagong materyal na may maraming versatile na katangian na ginagawa itong isang kapana-panabik na prospect para sa paggamit sa iba't ibang hanay ng mga application. Sa post sa blog na ito, tatalakayin natin ang potensyal ng materyal na ito at ang posibleng epekto nito sa mga umuusbong na teknolohiya.

Sa maliit na bahagi lamang ng laki ng mga tradisyonal na copper powder, ipinagmamalaki ng aming nano metal copper powder ang napakataas na surface area-to-volume ratio, na ginagawa itong perpektong pagpipilian para sa iba't ibang pang-industriya at teknolohikal na aplikasyon.

Ang SAT NANO ay isang kilalang nangunguna sa industriya sa pagbibigay ng mga de-kalidad na nanopowder. Isa sa kanilang mga pangunahing produkto ay ang 150nm Nano Tantalum Pentoxide Powder na isang hindi kapani-paniwalang tagumpay sa modernong agham at teknolohiya. Sa post sa blog na ito, tutuklasin natin ang mga katangian ng kamangha-manghang produktong ito at kung paano ito nakikinabang sa iba't ibang industriya.

Ang Magnesium oxide nanopowder ay tumutukoy sa isang anyo ng magnesium oxide na na-synthesize sa nanoscale. Ang mga nanopartikel ay mga particle na may sukat sa hanay na 1 hanggang 100 nanometer (nm). Ang Magnesium oxide (MgO) ay isang compound na binubuo ng magnesium at oxygen atoms.

Ang mga surfactant ay nahahati sa anionic surfactant, cationic surfactant, non ionic surfactant, at mixed surfactant. Ang mga karaniwang anionic surfactant ay Sodium dodecyl sulfate (SDS), Sodium dodecylbenzenesulfonate (SDBS), hexadecyl trimethyl Ammonium bromide (CTAB), atbp.

Sa pag-unlad ng integrated circuit (IC) na teknolohiya, ang pag-scale ng silikon na batay sa metal oxide semiconductor (MOS) field-effect transistors (FET) ay papalapit sa kanilang pangunahing pisikal na mga limitasyon. Ang mga carbon nanotubes (CNT) ay itinuturing na mga promising na materyales sa panahon ng post silikon dahil sa kanilang kapal ng atomic at natatanging mga de -koryenteng katangian, na may potensyal na mapabuti ang pagganap ng transistor habang binabawasan ang pagkonsumo ng kuryente. Ang mataas na kadalisayan na nakahanay ng carbon nanotubes (A-CNT) ay isang mainam na pagpipilian para sa pagmamaneho ng mga advanced na IC dahil sa kanilang mataas na kasalukuyang density. Gayunpaman, kapag ang haba ng channel (LCH) ay bumababa sa ibaba 30nm, ang pagganap ng solong gate (SG) A-CNT FET ay makabuluhang bumababa, higit sa lahat na ipinahayag bilang lumala na mga katangian ng paglipat at nadagdagan ang kasalukuyang pagtagas. Ang artikulong ito ay naglalayong ibunyag ang mekanismo ng pagkasira ng pagganap sa A-CNT FET sa pamamagitan ng teoretikal at pang-eksperimentong pananaliksik, at magmungkahi ng mga solusyon.