China Si3N4 pulbos Mga Manufacturer, Supplier, Factory

Ang kumbinasyon ng flexibility at elasticity ay ginagawang mahalaga ang mga elastic na materyales sa isang malawak na hanay ng mga industriya, kabilang ang automotive, construction, at consumer goods. Bukod dito, lalong nagiging kaakit-akit ang mga ito sa mga umuusbong na larangan tulad ng microfluidics, soft robotics, wearable, at mga medikal na device. Gayunpaman, ang pagkakaroon ng sapat na lakas ng makina ay isang kinakailangan para sa anumang aplikasyon. Kaya, ang paglutas sa tila magkasalungat na katangian sa pagitan ng lambot at lakas ay palaging isang walang hanggang hangarin.

Ang silver copper alloy powder ay isang haluang metal na binubuo ng dalawang metal, pilak at tanso. Ang pulbos ay karaniwang kulay-abo na puti, na may mas mataas na katigasan at lakas, pati na rin ang mahusay na kondaktibiti at thermal conductivity, pati na rin ang mahusay na katatagan ng kemikal.

Kung ikukumpara sa tradisyonal na mga materyales sa pagmamanupaktura, ang 3D printing powder ay maraming mga pakinabang.

Ang pilak na pinahiran na teknolohiya ng tanso ay isang pinagsama -samang teknolohiya ng materyal na metal, at ang pangunahing produkto na pilak na pinahiran na tanso na pulbos ay binubuo ng tanso sa core at pilak na shell na sumasakop sa ibabaw nito. Ang isang tipikal na kapal ng layer ng pilak ay nasa pagitan ng 50-200 nanometer, na may isang nilalaman ng pilak (mass ratio) na 5% -30%. Sa istraktura na ito, ang core ng tanso ay gumaganap ng isang papel sa pagbibigay ng mababang gastos at mataas na kondaktibiti, habang ang pilak na shell ay mahalaga sa pagtiyak na ang mga particle ay lumalaban sa oksihenasyon sa panahon ng mga proseso tulad ng pag -print at pag -print, habang bumubuo ng mahusay na pakikipag -ugnay sa ohmic sa baterya na silikon na wafer o TCO film. Matapos ang pagsasala, ang pilak na shell ay kumikilos bilang isang conductive medium, na tinitiyak ang mababang paglaban sa contact at maaasahang pagdirikit ng elektrod, habang ang core ng tanso ay binabawasan ang mga gastos sa materyal habang pinagtibay ang slurry na may ilang mekanikal na lakas at katatagan ng thermal.

Sa pag-unlad ng integrated circuit (IC) na teknolohiya, ang pag-scale ng silikon na batay sa metal oxide semiconductor (MOS) field-effect transistors (FET) ay papalapit sa kanilang pangunahing pisikal na mga limitasyon. Ang mga carbon nanotubes (CNT) ay itinuturing na mga promising na materyales sa panahon ng post silikon dahil sa kanilang kapal ng atomic at natatanging mga de -koryenteng katangian, na may potensyal na mapabuti ang pagganap ng transistor habang binabawasan ang pagkonsumo ng kuryente. Ang mataas na kadalisayan na nakahanay ng carbon nanotubes (A-CNT) ay isang mainam na pagpipilian para sa pagmamaneho ng mga advanced na IC dahil sa kanilang mataas na kasalukuyang density. Gayunpaman, kapag ang haba ng channel (LCH) ay bumababa sa ibaba 30nm, ang pagganap ng solong gate (SG) A-CNT FET ay makabuluhang bumababa, higit sa lahat na ipinahayag bilang lumala na mga katangian ng paglipat at nadagdagan ang kasalukuyang pagtagas. Ang artikulong ito ay naglalayong ibunyag ang mekanismo ng pagkasira ng pagganap sa A-CNT FET sa pamamagitan ng teoretikal at pang-eksperimentong pananaliksik, at magmungkahi ng mga solusyon.

Ang mga teknolohiyang XRF, EDS, at ICP ay karaniwang ginagamit sa pagsusuri ng materyal, na nagpapahintulot sa mga negosyo na pag-aralan at tukuyin ang iba't ibang elemento at materyales. Ang mga teknolohiyang ito ay mahalaga sa pananaliksik, pagpapaunlad, at paggawa ng mga bagong produkto. Sa post sa blog na ito, tatalakayin natin ang mga benepisyo at aplikasyon ng teknolohiyang XRF, EDS, at ICP.